Particle contamination formation in magnetron sputtering processes

Artikeleigenschaften
  • Sprache
    English
  • DOI (url)
  • Veröffentlichungsdatum
    1997/07/01
  • Indian UGC (Zeitschrift)
  • Zitate
    26
  • Gary S. Selwyn Physics Division, M/S E526, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, New Mexico 87545
  • Corey A. Weiss Materials Research Corporation, 200 Route 303, North Congers, New York 10920
  • Federico Sequeda Seagate Peripherals Disk Division, 311 Turquoise Street, Milpitas, California 95035
  • Carrie Huang Seagate Peripherals Disk Division, 311 Turquoise Street, Milpitas, California 95035
Abstrakt
Zitieren
Selwyn, Gary S., et al. “Particle Contamination Formation in Magnetron Sputtering Processes”. Journal of Vacuum Science &Amp; Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, vol. 15, no. 4, 1997, pp. 2023-8, https://doi.org/10.1116/1.580674.
Selwyn, G. S., Weiss, C. A., Sequeda, F., & Huang, C. (1997). Particle contamination formation in magnetron sputtering processes. Journal of Vacuum Science &Amp; Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 15(4), 2023-2028. https://doi.org/10.1116/1.580674
Selwyn GS, Weiss CA, Sequeda F, Huang C. Particle contamination formation in magnetron sputtering processes. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 1997;15(4):2023-8.
Journalkategorien
Science
Physics
Technology
Chemical technology
Technology
Electrical engineering
Electronics
Nuclear engineering
Materials of engineering and construction
Mechanics of materials
Beschreibung

Sabotieren Partikel Ihre Dünnschichten? Diese Studie untersucht die Mechanismen hinter der Partikelkontamination beim Magnetron-Sputtern, einem Prozess, der für die Herstellung von Dünnschichten entscheidend ist. Mithilfe der Laserlichtstreuung überwachten die Forscher Partikel mit einer Größe von mehr als 0,3 μm auf dem Target, dem Substrat und im Plasma und deckten im Vergleich zu Plasmaätzprozessen unterschiedliche Mechanismen für die Partikelerzeugung, den Transport und das Einfangen von Partikeln auf. Eine Hauptursache für die Partikelkontamination ist auf Target-Oberflächenbereiche mit geringerer Plasmadichte zurückzuführen, wo die Filmrückablagerung das Filament- oder Knötchenwachstum fördert. Die Sputterentfernung dieser Merkmale wird durch die Abhängigkeit der Sputterausbeute vom Einfallswinkel gehemmt, was zu einem Einfangen von Plasmapartikeln und einem verstärkten Filamentwachstum führt. Diese Wucherungen können den Mantel kurzschließen, was zu mechanischem Versagen, Brüchen und dem Ausstoß von Target-Verunreinigungen führt. Dieser Mechanismus, der sowohl in der Halbleiterfertigung als auch in der Herstellung von Speicherplatten beobachtet wird, kann für viele Sputterprozesse universell sein. Diese Erkenntnisse ebnen den Weg für Strategien zur Minimierung der Partikelkontamination und zur Verbesserung der Qualität von Dünnschichten in verschiedenen Anwendungen.

Dieser im Journal of Vacuum Science & Technology A veröffentlichte Artikel steht im Einklang mit dem Themenschwerpunkt der Zeitschrift auf Vakuumprozessen und Dünnschichtabscheidung. Die Forschung bietet Einblicke in die Mechanismen der Partikelbildung beim Magnetron-Sputtern. Die Arbeit bereichert den Inhalt der Zeitschrift im Bereich der Plasmaphysik und Materialwissenschaft.

Zitate
Zitationsanalyse
Die erste Studie, die diesen Artikel zitiert hat, trug den Titel Quantitative measurement of nodule formation in W–Ti sputtering und wurde in 1998. veröffentlicht. Die aktuellste Zitierung stammt aus einer 2024 Studie mit dem Titel Quantitative measurement of nodule formation in W–Ti sputtering Seinen Höhepunkt an Zitierungen erreichte dieser Artikel in 2023 mit 4 Zitierungen.Es wurde in 19 verschiedenen Zeitschriften zitiert., 5% davon sind Open Access. Unter den verwandten Fachzeitschriften wurde diese Forschung am häufigsten von Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films zitiert, mit 5 Zitierungen. Die folgende Grafik veranschaulicht die jährlichen Zitationstrends für diesen Artikel.
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