Besorgt über Partikelreduktion beim Sputtern? Diese Studie präsentiert eine quantitative Messung der Knötchenbildung beim **W–Ti-Sputtern**, einem Verfahren, das zur Herstellung von Diffusionsbarrieren für integrierte Schaltkreise verwendet wird. Die Forschung untersucht den Einfluss von Targeteigenschaften und Sputterparametern auf die Knötchenbildung, insbesondere in Wolfram-Targets mit 10 und 15 Gew.-% Titan. Die Menge und Lebensdauer der Knötchen wurden als Funktion der Targetlebensdauer bewertet. Es wird eine parabolische Beziehung gefunden, die auf eine gesättigte Knötchengröße mit zunehmender Sputterlebensdauer hinweist. Das Vorhandensein von gebrochenen Knötchen bestätigt, dass diese eine Quelle für Partikel sind. Diese Forschung bietet Einblicke in die grundlegende Knötchenbildung während des Sputterns. Die Ergebnisse liefern essenzielles Wissen zur Steuerung der Knötchenbildung, einem wichtigen Schritt zur Reduzierung der Partikelkontamination während des Sputterprozesses. Dieses Wissen kann zur Optimierung des Targetdesigns und der Sputterparameter verwendet werden, was zu verbesserten Mikrofertigungsprozessen und zuverlässigeren integrierten Schaltkreisen führt.
Diese im Journal of Vacuum Science & Technology A veröffentlichte Forschung steht im Einklang mit dem Schwerpunkt der Zeitschrift auf Vakuumprozessen und Dünnschichttechnologie. Durch die Untersuchung der Knötchenbildung beim Sputtern trägt sie direkt zum Verständnis und zur Optimierung einer kritischen Technik bei, die in der Materialwissenschaft und Mikroelektronik eingesetzt wird.