Resist development described by least action principle-line profile prediction

Artikeleigenschaften
  • Sprache
    English
  • DOI (url)
  • Veröffentlichungsdatum
    1988/11/01
  • Indian UGC (Zeitschrift)
  • Zitate
    5
  • E. Barouch Department of Mathematics and Computer Science, Clarkson University, Potsdam, New York 13676
  • B. D. Bradie Department of Mathematics and Computer Science, Clarkson University, Potsdam, New York 13676
  • S. V. Babu Department of Chemical Engineering, Clarkson University, Potsdam, New York 13676
Abstrakt
Zitieren
Barouch, E., et al. “Resist Development Described by Least Action Principle-Line Profile Prediction”. Journal of Vacuum Science &Amp; Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena, vol. 6, no. 6, 1988, pp. 2234-7, https://doi.org/10.1116/1.584088.
Barouch, E., Bradie, B. D., & Babu, S. V. (1988). Resist development described by least action principle-line profile prediction. Journal of Vacuum Science &Amp; Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena, 6(6), 2234-2237. https://doi.org/10.1116/1.584088
Barouch E, Bradie BD, Babu SV. Resist development described by least action principle-line profile prediction. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 1988;6(6):2234-7.
Beschreibung

Enthüllung der Geheimnisse der Resistenzentwicklung mit einem bahnbrechenden Ansatz. Dieses Papier stellt ein neuartiges Konzept vor: Jeder Entwicklungspfad folgt der Trajektorie des geringsten Widerstands gegen das Eindringen des Entwicklers. Diese innovative Idee besagt, dass die Entwicklung des endgültigen Linienprofils minimale Auflösungszeit erfordert. Die Autoren erreichen dies durch eine Variationsberechnung des Pfadintegrals entlang jeder lokalen Entwicklungstrajektorie. Diese Berechnung bestimmt auf einzigartige Weise das Auflösungsprofil als Lösung einer nichtlinearen partiellen Differentialgleichung (PDE). Die Konzentration der photoaktiven Verbindung (PAC) wird aus den Standard-Dill-Gleichungen für die Expositionsbleiche abgeleitet, wobei sowohl monotone als auch stehende Wellen berücksichtigt werden. Die Implementierung und das Testen dieser Prozedur zeigen eine bemerkenswerte Genauigkeit, wodurch Pfadkreuzungen beseitigt werden, die herkömmlichen String-Algorithmen innewohnen. Diese Methode vermeidet auch die willkürliche Eliminierung ungünstiger Punkte über alle Entwicklungszeiten hinweg und bietet einen bedeutenden Fortschritt in der Modellierung und Vorhersage der Resistenzentwicklung.

Zitate
Zitationsanalyse
Die erste Studie, die diesen Artikel zitiert hat, trug den Titel Simulation of Three-Dimensional Positive Photoresist Images und wurde in 1989. veröffentlicht. Die aktuellste Zitierung stammt aus einer 2001 Studie mit dem Titel Simulation of Three-Dimensional Positive Photoresist Images Seinen Höhepunkt an Zitierungen erreichte dieser Artikel in 1996 mit 2 Zitierungen.Es wurde in 5 verschiedenen Zeitschriften zitiert.. Unter den verwandten Fachzeitschriften wurde diese Forschung am häufigsten von Chemical Engineering Science zitiert, mit 1 Zitierungen. Die folgende Grafik veranschaulicht die jährlichen Zitationstrends für diesen Artikel.
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