Observations of Sputtered Thin Film Growth

Artikeleigenschaften
  • Sprache
    English
  • DOI (url)
  • Veröffentlichungsdatum
    1973/01/01
  • Indian UGC (Zeitschrift)
  • Zitate
    12
  • Dudley M. Sherman Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455
  • J. S. Maa Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455
  • Thos. E. Hutchinson Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455
Abstrakt
Zitieren
Sherman, Dudley M., et al. “Observations of Sputtered Thin Film Growth”. Journal of Vacuum Science and Technology, vol. 10, no. 1, 1973, pp. 155-9, https://doi.org/10.1116/1.1317928.
Sherman, D. M., Maa, J. S., & Hutchinson, T. E. (1973). Observations of Sputtered Thin Film Growth. Journal of Vacuum Science and Technology, 10(1), 155-159. https://doi.org/10.1116/1.1317928
Sherman DM, Maa JS, Hutchinson TE. Observations of Sputtered Thin Film Growth. Journal of Vacuum Science and Technology. 1973;10(1):155-9.
Beschreibung

Können wir die Geburt einer dünnen Schicht Atom für Atom sehen? Diese Forschung leistet Pionierarbeit mit einem modifizierten Transmissionselektronenmikroskop (TEM), um die Anfangsstadien des Dünnschichtwachstums durch Ionenstrahlzerstäubung zu beobachten. Der Schwerpunkt liegt auf dem Verständnis der grundlegenden Prozesse, die steuern, wie sich dünne Schichten bilden, wobei Silber als primäres untersuchtes Material dient. Die Studie beschreibt die Modifizierung eines kommerziellen TEM, um eine *In-situ*-Beobachtung zu ermöglichen. Silber, Silizium und Niob wurden auf verschiedene Substrate, darunter Kohlenstoff, Glimmer und Graphit, gesputtert. Während sich das Silberwachstum auf Kohlenstoff aufgrund der Bildung abnormaler Inseln als schwierig zu quantifizieren erwies, wurden auf Glimmer und Graphit reproduzierbarere Ergebnisse erzielt. Trotz der Variationen im Substrat stellte die Studie fest, dass sputterabgeschiedene Silberfilme ähnliche Keimbildungs- und frühe Wachstumsmerkmale wie aufgedampfte Filme aufweisen. Vorläufige Ergebnisse zum Silizium- und Niobwachstum werden ebenfalls vorgestellt, was Wege für weitere Untersuchungen anderer Materialien eröffnet. Diese Arbeit legt den Grundstein für eine präzise Kontrolle der Dünnschichteigenschaften durch ein tieferes Verständnis ihrer Bildungsmechanismen.

Zitate
Zitationsanalyse
Die erste Studie, die diesen Artikel zitiert hat, trug den Titel Preparation of Thin Single Crystal Silicon Substrates for in situ Electron Microscope Studies und wurde in 1973. veröffentlicht. Die aktuellste Zitierung stammt aus einer 2009 Studie mit dem Titel Preparation of Thin Single Crystal Silicon Substrates for in situ Electron Microscope Studies Seinen Höhepunkt an Zitierungen erreichte dieser Artikel in 1973 mit 4 Zitierungen.Es wurde in 9 verschiedenen Zeitschriften zitiert.. Unter den verwandten Fachzeitschriften wurde diese Forschung am häufigsten von Thin Solid Films zitiert, mit 3 Zitierungen. Die folgende Grafik veranschaulicht die jährlichen Zitationstrends für diesen Artikel.
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