Können photonische Bandlücken optische Polarisatoren revolutionieren? Dieses Papier schlägt eine neuartige Methode zur Herstellung eines siliziumbasierten optischen Wellenleiter Polarisators vor, der die unterschiedlichen photonischen Bandstrukturen von TE-und TM-Polarisationsmoden in periodischen Multischichten nutzt und eine hohe Relevanz für die **Physik** und die Bereiche der Optik aufweist. Die vorgeschlagene Wellenleiterstruktur, die eine SiO2-Kernschicht aufweist, die zwischen Poly-Si-und SiO2-Multischichten liegt, kann effizient auf einem Si-Substrat aufgewachsen werden. Es beschreibt die theoretische Studie seiner Ausbreitungsmerkmale und präsentiert vielversprechende Ergebnisse mit hohen Extinktionsverhältnissen von mehr als 40 dB bei einer Lichtwellenlänge von 1,3 μm innerhalb eines kompakten 40 μm-Wellenleiters sowie minimalem Ausbreitungsverlust für den passiven TE-Modus. Die Integration von photonischen Bandlückenmaterialien und optischen Wellenleitern ermöglicht eine außergewöhnliche Kontrolle der Lichtpolarisation. Diese Attribute eignen sich ideal für integrierte Optikanwendungen. Die Herstellung der Polarisatorstruktur wird mit der Magnetron-Sputtermethode demonstriert. Es wurde entwickelt, um die Leistung, Effizienz und Integrationsfähigkeiten optischer Geräte zu verbessern und ein breites Spektrum wissenschaftlicher und industrieller optischer Systeme zu verbessern.
Diese Forschung, die in Applied Physics Letters veröffentlicht wurde, steht im Einklang mit dem Fokus der Zeitschrift auf innovative experimentelle und theoretische Entwicklungen in der Physik. Durch die Erforschung der Verwendung von photonischen Bandlücken zur Herstellung eines siliziumbasierten optischen Wellenleiter Polarisators trägt sie zum Verständnis der Lichtmanipulation im Mikrobereich bei und passt zum Schwerpunkt der Zeitschrift auf modernste Physik und Materialwissenschaften. Die Referenzen zeigen ihren Platz in der laufenden Forschung über photonische Geräte und ihre Anwendungen.