Bolotin, K.I., et al. “Ultrahigh Electron Mobility in Suspended Graphene”. Solid State Communications, vol. 146, no. 9-10, 2008, pp. 351-5, https://doi.org/10.1016/j.ssc.2008.02.024.
Bolotin, K., Sikes, K., Jiang, Z., Klima, M., Fudenberg, G., Hone, J., Kim, P., & Stormer, H. (2008). Ultrahigh electron mobility in suspended graphene. Solid State Communications, 146(9-10), 351-355. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2008.02.024
Bolotin K, Sikes K, Jiang Z, Klima M, Fudenberg G, Hone J, et al. Ultrahigh electron mobility in suspended graphene. Solid State Communications. 2008;146(9-10):351-5.
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Science: Physics 18 ist die am häufigsten vertretene unter den Referenzen in diesem Artikel.Es umfasst hauptsächlich Studien von Physical Review LettersDie folgende Grafik veranschaulicht die Anzahl der referenzierten Veröffentlichungen pro Jahr.
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Die erste Studie, die diesen Artikel zitiert hat, trug den Titel Approaching the Dirac Point in High-Mobility Multilayer Epitaxial Graphene und wurde in 2008. veröffentlicht. Die aktuellste Zitierung stammt aus einer 2024 Studie mit dem Titel Approaching the Dirac Point in High-Mobility Multilayer Epitaxial Graphene Seinen Höhepunkt an Zitierungen erreichte dieser Artikel in 2017 mit 496 Zitierungen.Es wurde in 869 verschiedenen Zeitschriften zitiert., 14% davon sind Open Access. Unter den verwandten Fachzeitschriften wurde diese Forschung am häufigsten von Applied Physics Letters zitiert, mit 217 Zitierungen. Die folgende Grafik veranschaulicht die jährlichen Zitationstrends für diesen Artikel.