Es wurde eine neuartige **Trockenätztechnik** untersucht, die keine Resist-Entwicklung erfordert. Die neue Technik ermöglicht die Diffusion von gasförmigem HF und Wasserdampf durch den belichteten Resist und das selektive Ätzen des darunter liegenden SiO2. Es wird beobachtet, dass das Ätzen nur dann erfolgt, wenn der Resist in Kontakt mit dem darunter liegenden SiO2 steht. Das Verhältnis der Ätzrate von SiO2 unter belichtetem und unbelichtetem Resist kann im Wesentlichen unendlich sein. Diese sehr hohe Selektivität wurde zum Ätzen hochauflösender SiO2-Muster ohne Entwicklung verwendet. Variationen der Ätzrate mit Substrattemperatur (100° bis 250°C), Expositionsdosis (0-54 J/cm2 für UV und 0-3,2 mC/cm2 für E-Beam bei 20 keV) HF-Dampfstrom und Resistdicke (1600 bis 4000 Å) werden vorgestellt. Das neue mikrolithografische Ätzverfahren zur Strukturierung von SiO2 erfordert keine Resist-Entwicklung und reduziert daher die drei wichtigsten Schritte in der Mikrolithografie - Belichtung, Entwicklung und Ätzen - auf zwei. Infolgedessen werden die Probleme beseitigt, die während der Entwicklungsphase auftreten, wie z. B. Nadellöcher und der Verlust der Mustergenauigkeit. Das Verfahren ist in der Lage, eine Auflösung bis mindestens 0,7 μm Linienbreite in Siliziumdioxid zu erreichen und kann im Prinzip auf andere Materialien mit flüchtigen Reaktionsprodukten angewendet werden.
Dieser Artikel ist aufgrund fehlender Journal-Kategorien schwer zu kontextualisieren. Angesichts der Tatsache, dass der Artikel im Journal of Vacuum Science and Technology veröffentlicht wurde, kann jedoch abgeleitet werden, dass das Thema des Artikels mit dem Fokus des Journals auf Materialwissenschaft und Dünnschichttechnologie übereinstimmt. Durch die Untersuchung von Polysiloxan-Resist trägt das Papier zur Entwicklung von Resistmaterialien bei.