Observation of speckle patterns in extreme ultraviolet imaging

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Abstrakt
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Solak, H. H., et al. “Observation of Speckle Patterns in Extreme Ultraviolet Imaging”. Journal of Vacuum Science &Amp; Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, vol. 19, no. 6, 2001, pp. 2406-11, https://doi.org/10.1116/1.1421550.
Solak, H. H., Yang, Y., & Cerrina, F. (2001). Observation of speckle patterns in extreme ultraviolet imaging. Journal of Vacuum Science &Amp; Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena, 19(6), 2406-2411. https://doi.org/10.1116/1.1421550
Solak HH, Yang Y, Cerrina F. Observation of speckle patterns in extreme ultraviolet imaging. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 2001;19(6):2406-11.
Beschreibung

Kann die Oberflächenrauheit die extreme ultraviolette Lithographie beeinträchtigen? Diese Arbeit berichtet über die Beobachtung von Speckle-Mustern in der EUV-Bildgebung und befasst sich mit Bedenken hinsichtlich Lichtstreuung und Streulicht in der EUV-Lithographie. Die Studie untersucht die Auswirkungen des Lichts, das von mehrschichtvergüteten EUV-Optiken gestreut wird, auf die Bildqualität. Experimente mit einem auf einem Schwarzchild-Objektiv basierenden EUV-Mikroskop zeigen kontrastreiche Speckle-Muster im gestreuten Halo um den spiegelnd reflektierten Strahl. Simulationen deuten darauf hin, dass der Speckle-Effekt wahrscheinlich keine signifikante Bildverschlechterung verursacht, wenn die aktuellen Designziele für eine Rauheit von weniger als 0,5 nm auf Spiegeloberflächen erreicht werden. Der Befund legt nahe, dass die strengen Anforderungen an die Oberflächenrauheit für EUV-Lithographiesysteme gerechtfertigt sind. Diese Forschung trägt zum umfassenderen Verständnis von Optik und Lithographie bei und kann die Konstruktion und Herstellung zukünftiger EUV-Systeme beeinflussen.

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