Electronic signal for mechanical failure in two-dimensional g-SiC

Artikeleigenschaften
Abstrakt
Zitieren
Li, Jing, et al. “Electronic Signal for Mechanical Failure in Two-Dimensional G-SiC”. Semiconductor Science and Technology, vol. 39, no. 6, 2024, p. 065007, https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad40c7.
Li, J., Shi, T., Lu, C., & Peng, Q. (2024). Electronic signal for mechanical failure in two-dimensional g-SiC. Semiconductor Science and Technology, 39(6), 065007. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad40c7
Li J, Shi T, Lu C, Peng Q. Electronic signal for mechanical failure in two-dimensional g-SiC. Semiconductor Science and Technology. 2024;39(6):065007.
Journalkategorien
Science
Chemistry
Science
Physics
Technology
Chemical technology
Technology
Electrical engineering
Electronics
Nuclear engineering
Electric apparatus and materials
Electric circuits
Electric networks
Technology
Electrical engineering
Electronics
Nuclear engineering
Materials of engineering and construction
Mechanics of materials
Beschreibung

Können elektronische Eigenschaften ein bevorstehendes mechanisches Versagen signalisieren? Diese Forschung untersucht diese Frage, indem sie das Verhalten zweidimensionaler Siliziumkarbid-Monolagen (g-SiC) unter Belastung untersucht. Die Studie schlägt eine neuartige Methode zur Vorhersage mechanischen Versagens unter Verwendung von First-Principles-Berechnungen vor, wobei der Schwerpunkt auf der Korrelation zwischen dem Schließen der elektronischen Bandlücke und der ultimativen Dehnung im Material liegt. Die Forscher stellten fest, dass sich die elektronische Bandlücke von g-SiC mit zunehmender Belastung verringert und sich schließlich über den ultimativen Dehnungspunkt hinaus schließt. Diese mechano-elektronische Kopplung bietet eine Möglichkeit, den Beginn der Null-Bandlücke zu nutzen, um ein mechanisches Versagen vorherzusagen. Diese Arbeit verwendet eine rechnergestützte Analyse der elektronischen Struktur des Materials, um seine mechanischen Grenzen zu bewerten, und bietet einen Weg, der die Komplexität der direkten Simulation des Versagens vermeidet. Diese Ergebnisse haben erhebliche Auswirkungen auf die Materialwissenschaft und die Nanotechnologie und liefern ein neues, elektronisch basiertes Kriterium zur Vorhersage des mechanischen Versagens in 2D-Materialien. Dies könnte zu einer verbesserten Konstruktion und Zuverlässigkeit von Nano-Geräten, Sensoren und anderen Anwendungen führen, bei denen die Materialintegrität von entscheidender Bedeutung ist. Zukünftige Forschungen können diese mechano-elektronische Kopplung in anderen 2D-Materialien weiter erforschen.

Dieses in Semiconductor Science and Technology veröffentlichte Papier steht im Einklang mit dem Fokus des Journals auf Halbleitermaterialien und -bauelemente. Es trägt zum Verständnis zweidimensionaler Materialien bei, einem Schlüsselbereich der Halbleiterforschung. Durch die Erforschung der Beziehung zwischen elektronischen Eigenschaften und mechanischem Versagen bietet diese Arbeit Einblicke, die für die Konstruktion und Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen relevant sind und zum thematischen Umfang des Journals passen.

Auffrischen
Referenzanalyse
Die Kategorie Technology: Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering: Materials of engineering and construction. Mechanics of materials 18 ist die am häufigsten vertretene unter den Referenzen in diesem Artikel.Es umfasst hauptsächlich Studien von Physical Review BDie folgende Grafik veranschaulicht die Anzahl der referenzierten Veröffentlichungen pro Jahr.
Referenzen, die in diesem Artikel nach Jahr verwendet werden